[发明专利]一种阴极短路栅控晶闸管版图设计方法在审

专利信息
申请号: 201810970618.9 申请日: 2018-08-24
公开(公告)号: CN109309086A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 陈万军;左慧玲;刘超;刘亚伟;邓操 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 元胞 阴极 闩锁 版图设计 短路栅 接触孔 晶闸管 减小 功率半导体器件 半导体掺杂区 电流分布 条形栅极 闩锁电流 多晶硅 结终端 金属叉 条形栅 栅电容 栅电阻 栅结构 触发 改进
【权利要求书】:

1.一种阴极短路栅控晶闸管版图设计方法,其特征在于,将版图的俯视图定义为直角坐标平面,沿垂直方向,将元胞以平行于水平方向的方式依次并列设置,使得元胞的栅结构形成沿水平方向的条形栅结构;

将和结终端相连的一圈元胞定义为边缘元胞,其他元胞定义为内部元胞;沿垂直方向,在条形栅结构之间为器件阴极,其中,边缘元胞的半导体掺杂区通过条形的接触孔与阴极连接,与边缘元胞不同的是,内部元胞通过方形的接触孔与阴极连接;

在水平方向的中部,条形栅极沿垂直方向还具有金属叉指。

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