[发明专利]一种闪存器的擦除验证设备和方法有效
申请号: | 201810967997.6 | 申请日: | 2018-08-23 |
公开(公告)号: | CN109273039B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 梁轲;侯春源 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/14 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种闪存器的擦除验证设备和方法,其中,所述闪存器的擦除验证设备包括:控制器,处理器和接口,其中:所述控制器,用于通过所述接口获取擦除脉冲;所述处理器,用于基于所述擦除脉冲对存储阵列的顶部选择栅阵列的第i个存储串进行第一擦除验证;所述处理器,还用于若顶部选择栅阵列的第i个存储串的第一擦除验证失败,对所述顶部选择栅阵列的第i个存储串进行第二擦除验证;其中,所述第二擦除验证的电压大于所述第一擦除验证的电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 闪存 擦除 验证 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种闪存器的擦除验证设备,其特征在于,所述设备包括:控制器,处理器和接口,其中:所述控制器,用于通过所述接口获取擦除脉冲;所述处理器,用于基于所述擦除脉冲对存储阵列的顶部选择栅阵列的第i个存储串进行第一擦除验证;所述处理器,还用于若顶部选择栅阵列的第i个存储串的第一擦除验证失败,对所述顶部选择栅阵列的第i个存储串进行第二擦除验证;其中,所述第二擦除验证的电压大于所述第一擦除验证的电压。
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