[发明专利]一种控制陶瓷结合剂熔制过程中硼挥发的方法在审
| 申请号： | 201810967519.5 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109093531A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘宏伟;吕升东;刘星星;毕志宇 | 申请（专利权）人： | 沈阳中科超硬磨具磨削研究所 |
| 主分类号： | B24D3/14 | 分类号： | B24D3/14;B24D3/34;C04B35/626;C04B35/63 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种控制陶瓷结合剂熔制过程中硼挥发的方法，所述结合剂中各组分按以下质量百分比组成：二氧化硅45～55％、氧化硼25～35％、氧化铝9～12％、氧化钡3～6％、氧化钠5～8％、稀土金属氧化物3～6％；本发明的有益效果及特点：本发明提供了一种控制陶瓷结合剂中硼挥发的方法，所述方法不需其他特殊设备，只需通过引入少量稀土金属氧化物，并控制熔制时升温速率和熔制温度等参数即可达到减少硼挥发的效果，在本发明的一些实施例中，硼挥发量可以有效的控制在3.5‑9.0％范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发 熔制 陶瓷结合剂 稀土金属氧化物 质量百分比 二氧化硅 挥发量 结合剂 速率和 氧化钡 氧化钠 氧化硼 氧化铝 引入 | ||
【主权项】：
1.一种控制陶瓷结合剂熔制过程中硼挥发的方法，其特征在于：所述结合剂中各组分按以下质量百分比组成：二氧化硅45～55％、氧化硼25～35％、氧化铝9～12％、氧化钡3～6％、氧化钠5～8％、稀土金属氧化物3～6％。
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