[发明专利]一种控制陶瓷结合剂熔制过程中硼挥发的方法在审
| 申请号： | 201810967519.5 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109093531A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘宏伟;吕升东;刘星星;毕志宇 | 申请（专利权）人： | 沈阳中科超硬磨具磨削研究所 |
| 主分类号： | B24D3/14 | 分类号： | B24D3/14;B24D3/34;C04B35/626;C04B35/63 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发 熔制 陶瓷结合剂 稀土金属氧化物 质量百分比 二氧化硅 挥发量 结合剂 速率和 氧化钡 氧化钠 氧化硼 氧化铝 引入 | ||
【权利要求书】：
1.一种控制陶瓷结合剂熔制过程中硼挥发的方法，其特征在于：所述结合剂中各组分按以下质量百分比组成：二氧化硅45～55％、氧化硼25～35％、氧化铝9～12％、氧化钡3～6％、氧化钠5～8％、稀土金属氧化物3～6％。
2.根据权利要求1所述的陶瓷结合剂原料组成，其特征在于：所述稀土金属氧化物为La2O3Ln2O3Y2O3、Nd2O3、Ho2O3、Gd2O3中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的控制陶瓷结合剂熔制过程中硼挥发的方法，其特征在于：工艺步骤如下：
(1)根据结合剂中各组分的质量百分比配备原料，形成均匀的粉状混合料；
(2)将步骤(1)中制得的混合料放入高温炉中，升温速率为7-10℃/min，升温至1320-1350℃得到预熔料，升温速度的设定是用来保证硼挥发量较小；
(3)将步骤(2)中制得预熔料水淬、破碎、粉磨、过筛处理，即可得到所需粒度的陶瓷结合剂。
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