[发明专利]一种横向二极管器件有效
| 申请号： | 201810962570.7 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109065635B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张金平;邹华;罗君轶;赵阳;刘竞秀;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种横向二极管器件，属于功率半导体器件技术领域。其元胞结构包括自下而上依次设置的衬底电极、N型半导体衬底、介质层和N‑半导体漂移区，N‑半导体漂移区顶层一侧设置P型半导体基区，另一侧设置N+半导体漏区；N+半导体漏区上表面具有阴极金属；P型半导体基区顶层并排设置P+半导体接触区和N+半导体源区，N+半导体源区位于靠近N+半导体漏区的一侧；N+半导体源区、P型半导体基区和N‑半导体漂移区的上表面设置一个沟槽结构，沟槽结构上具有包括自下而上设置的介质层、多晶硅和阳极金属的栅极结构；P+半导体接触区和N+半导体源区上表面具有阳极金属。本发明具有高正向电流密度、低通态损耗、高整流效率和高电压阻断能力的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 二极管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种横向二极管器件，其元胞结构包括自下而上依次设置的衬底电极(12)、P型半导体衬底(11)、介质层(10)和N‑半导体漂移区(8)，所述N‑半导体漂移区(8)顶层一侧设置P型半导体基区(7)，另一侧设置N+半导体漏区(9)；所述N+半导体漏区(9)上表面具有阴极金属(4)；所述P型半导体基区(7)顶层远离所述N+半导体漏区(9)的一侧并排设置紧密接触的P+半导体接触区(5)和N+半导体源区(6)，所述N+半导体源区(6)位于靠近所述N+半导体漏区(9)的一侧且其深度不超过所述P+半导体接触区(5)的深度；其特征在于，所述N+半导体源区(6)靠近所述P型半导体基区(7)的上表面、P型半导体基区(7)的上表面和所述N‑半导体漂移区(8)靠近所述P型半导体基区(7)的上表面设置一个沟槽结构，所述沟槽结构上具有栅极结构，所述栅极结构包括自下而上设置的介质层(3)、多晶硅(2)和阳极金属(1)，且所述多晶硅(2)的下表面最底部低于所述沟槽结构的最顶部；所述阳极金属(1)延伸至所述N+半导体源区(6)和P+半导体接触区(5)的上表面。
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