[发明专利]一种晶圆及芯片有效
| 申请号: | 201810962144.3 | 申请日: | 2018-08-22 | 
| 公开(公告)号: | CN109065536B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 | 
| 发明(设计)人: | 肖莉红;李兆松;李思晢;汤召辉;周玉婷 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 | 
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/78 | 
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 党丽;王宝筠 | 
| 地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 | 
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| 摘要: | 本发明提供一种晶圆及芯片,通过在堆叠层中设置不同方向的栅线缝隙,实现应力平衡。由于栅线缝隙形成在堆叠层中,且在不同方向上形成,可以在不同方向上释放堆叠层中的应力,从而使得晶圆或芯片在不同方向上的应力得到平衡,降低晶圆制造过程中出现晶圆翘曲的缺陷,进而提高晶圆良率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 | ||
【主权项】:
                1.一种晶圆,其特征在于,所述晶圆包括若干子区域,所述子区域中阵列排布有多个曝光场区,每个所述曝光场区的芯片区中形成有存储区,所述存储区包括:位于衬底上的堆叠层,所述堆叠层包括交替堆叠的栅极层和绝缘层;栅线缝隙,穿过所述堆叠层以将所述堆叠层分割为若干个部分;至少其中之一所述子区域中的存储区的栅线缝隙沿第一方向延伸;至少其中另一所述子区域中的存储区的栅线缝隙沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向相交。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
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