[发明专利]一种晶圆及芯片

权利要求书

1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括若干子区域，所述子区域中阵列排布有多个曝光场区，所述曝光场区为晶圆制造过程中一次曝光的区域，每个所述曝光场区的芯片区中形成有存储区，所述存储区包括：

位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的栅极层和绝缘层；

栅线缝隙，穿过所述堆叠层以将所述堆叠层分割为若干个部分；

至少其中之一所述子区域中的存储区的栅线缝隙沿第一方向延伸；

至少其中另一所述子区域中的存储区的栅线缝隙沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交。

2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。

3.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述若干子区域包括第一类型子区域和第二类型子区域；其中，

所述第一类型子区域中的存储区具有沿所述第一方向延伸的栅线缝隙；

所述第二类型子区域中的存储区具有沿所述第二方向延伸的栅线缝隙，所述第一类型子区域与所述第二类型子区域交替排布。

4.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，还包括：

位于所述芯片区边缘的外围区；

位于所述外围区的辅助监控结构。

5.根据权利要求4所述的晶圆，其特征在于，所述辅助监控结构呈环状地分布在所述外围区。

6.根据权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述堆叠层中的所述栅极层和绝缘层在端部形成有阶梯结构，所述存储区还包括：

位于所述阶梯结构上的若干接触插塞，所述接触插塞与所述栅极层电连接，所述接触插塞沿所述栅线缝隙的延伸方向间隔地分布，且分布在所述栅线缝隙的延伸方向侧的阶梯结构上。

7.一种芯片，其特征在于，所述芯片的存储区包括若干单元阵列区，所述单元阵列区为块区或片区，所述单元阵列区包括：

位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的栅极层和绝缘层；

栅线缝隙，穿过所述堆叠层以将所述堆叠层分割为若干个部分；

至少其中之一所述单元阵列区的栅线缝隙沿第一方向延伸；

至少其中另一所述单元阵列区的栅线缝隙沿第二方向延伸，所述第一方向与第二方向相交。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。

9.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述若干单元阵列区包括第一类型单元阵列区和第二类型单元阵列区；其中，

所述第一类型单元阵列区具有沿所述第一方向延伸的栅线缝隙；

所述第二类型单元阵列区具有沿所述第二方向延伸的栅线缝隙，所述第一类型单元阵列区与所述第二类型单元阵列区交替且阵列排布。

10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述第一类型单元阵列区和所述第二类型单元阵列区为呈中心对称分布的阵列排布。

11.根据权利要求10所述的芯片，其特征在于，还包括：

中心对准区，所述中心对准区由呈中心对称分布的所述第一类型单元阵列区和所述第二类型单元阵列区包围；

位于所述中心对准区的对准标记。

12.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，还包括：

位于所述芯片边缘的外围区；

位于所述外围区的辅助监控结构。

13.根据权利要求12所述的芯片，其特征在于，所述辅助监控结构沿所述芯片边缘的不同方向排布。