[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810952249.0 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109427906B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 高谷秀史;浦上泰;副岛成雅 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 熊传芳;苏卉 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板、上表面电极、下表面电极及经由栅极绝缘膜而设于沟槽内的栅电极。半导体基板具有与上表面电极接触的P型体层、介于体层与下表面电极之间的n型漂移层、沿着沟槽的底面设置的p型浮置区及沿着沟槽的侧面在体层与浮置区之间延伸的p型连接区。沟槽沿着俯视时的长边方向具有未设置连接区的第一区间及设置有连接区的第二区间。而且，第二区间中的沟槽的侧面的倾倒角度比第一区间中的沟槽的侧面的倾倒角度大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：半导体基板，在上表面具有沟槽；上表面电极，设置于所述半导体基板的所述上表面；下表面电极，设置于所述半导体基板的位于所述上表面的相反侧的下表面；及栅电极，经由栅极绝缘膜而设置于所述沟槽内，所述半导体基板具有：P型体层，与所述上表面电极接触；n型漂移层，介于所述体层与所述下表面电极之间；p型浮置区，位于所述漂移层内并且沿着所述沟槽的底面设置；及p型连接区，沿着所述沟槽的侧面在所述体层与所述浮置区之间延伸，所述沟槽沿着俯视时的长边方向具有未设置所述连接区的第一区间及设置有所述连接区的第二区间，所述第二区间中的所述沟槽的所述侧面的倾倒角度比所述第一区间中的所述沟槽的所述侧面的倾倒角度大。
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