[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板，在上表面具有沟槽；

上表面电极，设置于所述半导体基板的所述上表面；

下表面电极，设置于所述半导体基板的位于所述上表面的相反侧的下表面；及

栅电极，经由栅极绝缘膜而设置于所述沟槽内，

所述半导体基板具有：

P型体层，与所述上表面电极接触；

n型漂移层，介于所述体层与所述下表面电极之间；

p型浮置区，位于所述漂移层内并且沿着所述沟槽的底面设置；及

p型连接区，沿着所述沟槽的侧面在所述体层与所述浮置区之间延伸，

所述沟槽沿着俯视时的长边方向具有未设置所述连接区的第一区间及设置有所述连接区的第二区间，

所述第二区间中的所述沟槽的所述侧面的倾倒角度比所述第一区间中的所述沟槽的所述侧面的倾倒角度大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第二区间中的所述沟槽的开口宽度比所述第一区间中的所述沟槽的开口宽度大。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述沟槽还具有第三区间，所述第三区间在所述长边方向上位于所述第一区间与所述第二区间之间，且未设置所述连接区，

所述第三区间中的所述沟槽的开口宽度比所述第一区间中的所述沟槽的开口宽度大，并且，所述第三区间中的所述侧面的所述倾倒角度比所述第二区间中的所述侧面的所述倾倒角度小。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第三区间中的所述沟槽的开口宽度与所述第二区间中的所述沟槽的开口宽度相等，所述第三区间中的所述侧面的所述倾倒角度与所述第一区间中的所述侧面的所述倾倒角度相等。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第三区间中的所述侧面的所述倾倒角度大致为0。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第三区间中的所述侧面的所述倾倒角度大致为0。

7.根据权利要求1～2、4～6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是MOSFET，

所述半导体基板还具有：

n型源极区，与所述上表面电极接触并经由所述栅极绝缘膜而与所述栅电极相对，且经由所述体层而与所述漂移层隔开；及

n型漏极层，与所述下表面电极接触并经由所述漂移层而与所述体层隔开。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是MOSFET，

所述半导体基板还具有：

n型源极区，与所述上表面电极接触并经由所述栅极绝缘膜而与所述栅电极相对，且经由所述体层而与所述漂移层隔开；及

n型漏极层，与所述下表面电极接触并经由所述漂移层而与所述体层隔开。

9.根据权利要求1～2、4～6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是IGBT，

所述半导体基板还具有：

n型发射极区，与所述上表面电极接触并经由所述栅极绝缘膜而与所述栅电极相对，且经由所述体层而与所述漂移层隔开；及

p型集电极层，与所述下表面电极接触并经由所述漂移层而与所述体层隔开。

10.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是IGBT，

所述半导体基板还具有：

n型发射极区，与所述上表面电极接触并经由所述栅极绝缘膜而与所述栅电极相对，且经由所述体层而与所述漂移层隔开；及

p型集电极层，与所述下表面电极接触并经由所述漂移层而与所述体层隔开。