[发明专利]阵列基板有效
| 申请号： | 201810951224.9 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109148480B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈彩琴 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板之上的第一金属设置在所述第一金属之上的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层之上的第二金属；设置在所述第二金属之上的第二缓冲层；设置在所述第二缓冲层之上的第三金属；其中，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间设置有过孔，所述第一金属通过所述过孔与所述第三金属电连接，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属组成并联电容。本发明通过将栅极金属与电容金属或源漏极金属相连，使栅极金属、源漏极金属和电容金属之间的电容并联，进而在保持单个像素面积不变的前提下增加补偿电路的电容，以实现显示面板的高清晰度。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板之上的第一金属；设置在所述第一金属之上的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层之上的第二金属；设置在所述第二金属之上的第二缓冲层；设置在所述第二缓冲层之上的第三金属；其中，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间设置有过孔，所述第一金属通过所述过孔与所述第三金属电连接，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属组成并联电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
