[发明专利]阵列基板有效
| 申请号： | 201810951224.9 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109148480B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈彩琴 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的像素补偿电路，
所述像素补偿电路包括：
设置在所述衬底基板之上的第一金属；
设置在所述第一金属之上的第一缓冲层；
设置在所述第一缓冲层之上的第二金属；
设置在所述第二金属之上的第二缓冲层；
设置在所述第二缓冲层之上的第三金属；
其中，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间设置有过孔，所述第一金属通过所述过孔与所述第三金属电连接，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属组成并联的存储电容，
所述衬底基板与所述第一金属之间设置有多晶硅层，所述多晶硅层包括中部的沟道区和两端的掺杂区；
其中，所述第一金属为栅极金属，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属均位于所述沟道区的正上方。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属位于所述阵列基板的源漏极金属层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔贯穿所述第一缓冲层和所述第二缓冲层；
所述过孔将所述第二金属分开，且所述第二金属与所述过孔相离。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极金属层包括相互绝缘的源漏极金属和所述第三金属；
其中，所述源漏极金属与所述多晶硅层相连。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的像素补偿电路，
所述像素补偿电路包括：
设置在所述衬底基板之上的第一金属；
设置在所述第一金属之上的第一缓冲层；
设置在所述第一缓冲层之上的第二金属；
设置在所述第二金属之上的第二缓冲层；
设置在所述第二缓冲层之上的第三金属，所述第三金属位于所述阵列基板的阳极层；
其中，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间设置有过孔，所述第一金属通过所述过孔与所述第三金属电连接，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属组成并联的存储电容，
所述衬底基板与所述第一金属之间设置有多晶硅层，所述多晶硅层包括中部的沟道区和两端的掺杂区；
其中，所述第一金属为栅极金属，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属均位于所述沟道区的正上方。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属位于源漏极金属层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔贯穿所述第一缓冲层和所述第二缓冲层；
所述过孔将所述第二金属分开，且所述第二金属与所述过孔相离。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极层包括相互绝缘的阳极金属和所述第三金属；
其中，所述阳极金属与源漏极金属相连。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
