[发明专利]用于制造MEMS传感器的方法和MEMS传感器有效
| 申请号： | 201810947220.3 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109422239B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | M·施泰尔特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张鹏 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造MEMS传感器的方法。在此提供衬底。在衬底的正面上构造MEMS结构。在衬底中构造具有凹槽的解耦结构，其使衬底的第一区域与第二区域应力解耦。在衬底的与正面对置的背面中，通过第一蚀刻工艺构造第一空腔并且通过第二蚀刻工艺构造第二空腔。第一空腔和第二空腔构造为使得第二空腔包括第一空腔并且第二空腔与MEMS结构的底部区域和解耦结构的底部区域邻接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 mems 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造MEMS传感器(100)的方法，其中提供衬底(1)，其中在所述衬底(1)的正面(10)上构造MEMS结构(2)，其中在所述衬底(1)中构造具有凹槽(30)的解耦结构(3)，所述解耦结构(3)使所述衬底(1)的第一区域(11)与第二区域(12)应力解耦，其中在所述衬底(1)的与所述正面(10)对置的背面(13)中，通过第一蚀刻工艺构造第一空腔(4)并且通过第二蚀刻工艺构造第二空腔(5)，并且其中所述第一空腔(4)和所述第二空腔(5)被构造为使得所述第二空腔(5)包括所述第一空腔(4)并且所述第二空腔(5)与所述MEMS结构(2)的底部区域(21)和所述解耦结构(3)的底部区域(31)邻接。
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