[发明专利]用于制造MEMS传感器的方法和MEMS传感器有效
| 申请号： | 201810947220.3 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109422239B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | M·施泰尔特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张鹏 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 mems 传感器 方法 | ||
1.一种用于制造MEMS传感器(100)的方法，
其中提供衬底(1)，
其中在所述衬底(1)的正面(10)上构造MEMS结构(2)，
其中在所述衬底(1)中构造具有凹槽(30)的解耦结构(3)，所述解耦结构(3)使所述衬底(1)的第一区域(11)与第二区域(12)应力解耦，
其中在所述衬底(1)的与所述正面(10)对置的背面(13)中，通过第一蚀刻工艺构造第一空腔(4)并且通过第二蚀刻工艺构造第二空腔(5)，并且
其中所述第一空腔(4)和所述第二空腔(5)被构造为使得所述第二空腔(5)包括所述第一空腔(4)并且所述第二空腔(5)与所述MEMS结构(2)的底部区域(21)和所述解耦结构(3)的底部区域(31)邻接。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中利用所述第一蚀刻工艺构造第一蚀刻深度(T1)并且利用所述第二蚀刻工艺构造第二蚀刻深度(T2)，使得在所述第一蚀刻深度(T1)和所述第二蚀刻深度(T2)之间的差值等于在所述MEMS结构(2)的底部区域(21)的深度(T3)和所述解耦结构(3)的底部区域(31)的深度(T4)之间的差值。
3.根据权利要求1或2所述的方法，
其中在构造所述第一空腔(4)之前在所述衬底(1)的背面(13)上构造蚀刻停止掩膜(6)，使得所述衬底(1)的第一部分(14)仅被保护免受所述第一蚀刻工艺并且所述衬底(1)的第二部分(15)被保护免受所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺。
4.根据权利要求1或2所述的方法，
其中在构造所述第一空腔(4)和所述第二空腔(5)之前构造所述MEMS结构(2)和所述解耦结构(3)。
5.根据权利要求1或2所述的方法，
其中通过所述第一蚀刻工艺在所述衬底(1)的背面(13)构造预凹槽(32)，并且
其中通过所述第二蚀刻工艺将所述预凹槽(32)朝所述衬底(1)的正面(10)推进，以构造所述解耦结构(3)的所述凹槽(30)。
6.根据权利要求5所述的方法，
其中在构造所述第一空腔(4)之前在所述衬底(1)的背面(13)上构造蚀刻停止掩膜(6)，使得所述衬底(1)的第一部分(14)仅被保护免受所述第一蚀刻工艺并且所述衬底(1)的第二部分(15)被保护免受所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺，并且使得通过所述第一蚀刻工艺在所述衬底(1)中构造所述第一空腔(4)和所述预凹槽(32)。
7.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述MEMS结构(2)被构造用于压力传感器。
8.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述MEMS结构(2)被构造用于麦克风，并且
其中膜片(20)被构造作为所述MEMS结构(2)的一部分。
9.根据权利要求8所述的方法，
其中所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺实施为使得在所述衬底(1)的整个厚度(d)上去除所述膜片(20)下方的衬底(1)。
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