[发明专利]一种1S1R型相变存储单元结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810946088.4 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109119534B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李克洲;周绍林 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为;冼俊鹏 |
| 地址： | 528300 广东省佛山市顺德*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种1S1R型相变存储单元结构及其制备方法，依次层叠设置的顶电极层、OTS层、中间电极层、绝缘层、底电极层和衬底；中间电极层与绝缘层的接触面中部位置向中间电极层内凹陷，凹陷处置有相变材料层；绝缘层在相变材料层对应的位置设有贯穿绝缘层的加热电极，加热电极一端连接相变材料层，另一端连接底电极层。优点在于，采用包裹式的中间电极层，通过按照蘑菇型单元热量分布的形状调整相变材料层的直径与高度，使得热量分布更加均匀。增加了相变材料层与中间电极层的接触面积，从而减小与中间电极层接触区域的相变材料的电流密度，避免突变热对该区域的局部编程，提升阻值分布，减小误操作可能，提高提升相变存储单元可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 中间电极层 相变材料层 绝缘层 相变存储单元 底电极层 加热电极 热量分布 一端连接 减小 制备 顶电极层 接触区域 相变材料 形状调整 依次层叠 中部位置 包裹式 蘑菇型 内凹陷 误操作 凹陷 衬底 编程 突变 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种1S1R型相变存储单元结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的顶电极层(190)、OTS层(170)、中间电极层(150)、绝缘层(130)、底电极层(120)和衬底(110)；所述的中间电极层(150)与绝缘层(130)的接触面中部位置向中间电极层(150)内凹陷，凹陷处置有相变材料层(160)，中间电极层(150)形成对相变材料层(160)包裹式设置；所述的绝缘层(130)在相变材料层(160)对应的位置设有贯穿绝缘层(130)的加热电极(140)，所述的加热电极(140)一端连接相变材料层(160)，另一端连接底电极层(120)。
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