[发明专利]集成芯片与影像感测器及其形成方法在审
| 申请号: | 201810940085.X | 申请日: | 2018-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN109411491A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 黄柏翰;卢玠甫;陈宥均 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明一些实施例关于具有沿着基板的第一表面的层间介电结构的集成芯片,且基板具有光检测器。蚀刻停止层位于层间介电结构上,而蚀刻停止层与层间介电结构围绕反射器。反射器具有的弧形表面面对基板并直接位于光检测器上。弧形表面耦接于反射器的第一侧壁与第二侧壁之间。反射器沿着第一侧壁与第二侧壁的厚度,大于反射器的中心厚度,且反射器的中心位于第一侧壁与第二侧壁之间。 | ||
| 搜索关键词: | 反射器 层间介电结构 第二侧壁 第一侧壁 蚀刻停止层 光检测器 弧形表面 集成芯片 基板 影像感测器 第一表面 面对基板 耦接 反射 | ||
【主权项】:
1.一种集成芯片,包括:一层间介电结构,沿着一基板的一第一表面延伸,且该基板具有一光检测器;一蚀刻停止层,位于该层间介电结构上;一反射器,具有一弧形表面面对该基板且直接位于该光检测器上,且该蚀刻停止层与该层间介电结构围绕该反射器,其中该弧形表面耦接于该反射器的一第一侧壁与一第二侧壁之间;以及其中该反射器沿着该第一侧壁与该第二侧壁的厚度,大于该反射器的一中心的厚度,且该反射器的该中心位于该第一侧壁与该第二侧壁之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





