[发明专利]集成芯片与影像感测器及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

一层间介电结构，沿着一基板的一第一表面延伸，且该基板具有一光检测器；

一蚀刻停止层，位于该层间介电结构上；

一反射器，具有一弧形表面面对该基板且直接位于该光检测器上，且该蚀刻停止层与该层间介电结构围绕该反射器，其中该弧形表面耦接于该反射器的一第一侧壁与一第二侧壁之间；以及

其中该反射器沿着该第一侧壁与该第二侧壁的厚度，大于该反射器的一中心的厚度，且该反射器的该中心位于该第一侧壁与该第二侧壁之间。

2.如权利要求1所述的集成芯片，还包括：

一栅极，配置于该基板上；以及

一导电接点，自该栅极的上表面延伸至一第一导电内连线线路，

其中一第一水平线路平行于该基板的该第一表面，并延伸穿过该反射器与该导电接点；以及

其中一第二水平线路平行于该第一水平线路，并延伸穿过该反射器与该第一导电内连线线路。

3.如权利要求1所述的集成芯片，其中该反射器具有面对该基板的一上表面，该上表面包含一中心区，且该中心区被多个凸起围绕；以及

其中该中心区的一表面具有一第一斜率，该些凸起各自具有耦接至该表面的一侧壁，该侧壁具有一第二斜率，且该第二斜率大于该第一斜率。

4.一种影像感测器的形成方法，包括：

形成一光检测器于一基板中；

形成一栅极于该基板的一第一表面上；

形成一层间介电结构于该基板的该第一表面及该栅极上；

形成一反射器凹陷，且该反射器凹陷延伸至该层间介电结构中，并由该层间介电结构其横向延伸的一非平面下表面与该层间介电结构的侧壁定义该反射器凹陷；

形成一反射材料于该反射器凹陷中；以及

进行一平坦化工艺自该层间介电结构的最上侧表面上移除该反射材料，以形成一反射器。

5.如权利要求4所述的影像感测器的形成方法，

其中一直线垂直于该基板的该第一表面并对分该反射器；以及

其中该反射器的厚度在该直线与该反射器的外侧侧壁之间递增。

6.如权利要求4所述的影像感测器的形成方法，其中该层间介电结构包括一第一层间介电层，以及直接接触该第一层间介电层的上表面的一第二层间介电层；以及

其中该反射器凹陷与该第一层间介电层之间完全隔有该第二层间介电层。

7.一种影像感测器，包括：

一光检测器，位于一基板中；

多个导电内连线层，配置于一介电结构中，且该介电结构沿着该基板的一第一表面；

一反射器，直接配置于该光检测器上并与该基板之间隔有该介电结构，其中垂直于该基板的一第一表面的一直线对分该反射器；以及

其中该反射器的厚度在该直线与该反射器的外侧侧壁之间递增。

8.如权利要求7所述的影像感测器，其中该介电结构包括：

一层间介电结构，沿着该基板的该第一表面配置；以及

一蚀刻停止层，与该基板之间隔有该层间介电结构，其中该反射器配置于该蚀刻停止层与该层间介电结构中。

9.如权利要求7所述的影像感测器，其中该反射器的上表面面对该基板，且由一不连续函数定义该反射器的上表面。

10.如权利要求7所述的影像感测器，其中该反射器的上表面面对该基板，其包括一中心区，且该中心区被多个凸起包围；以及

其中该中心区的一表面具有一第一斜率，该凸起各自具有耦接至该表面的一侧壁，该侧壁具有一第二斜率，且该第二斜率大于该第一斜率。