[发明专利]一种减小异质膜组件封损的工艺在审
| 申请号： | 201810930109.3 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109065672A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 贾松燕;任永伟;郭望东;钱异军 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种异质膜太阳能电池片抗组件封损的制作方法，能够使太阳电池减反射膜折射率稳定降低至1.65‑2.05，并保证PECVD镀膜后外观颜色均匀，可以与热氧化抗PID工艺效果妥善叠加，通过抗衰减工艺，使异质膜电池组件后功率损失降低至接近普通氮化硅膜电池的水准。 | ||
| 搜索关键词： | 异质膜 太阳能电池片 氮化硅膜 电池组件 工艺效果 功率损失 减反射膜 外观颜色 抗衰减 热氧化 折射率 减小 叠加 电池 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：刻蚀二次清洗后的产品，送入高温炉以550‑900℃温度下，通以500‑9000sccm的氧气和氮气，在低压或近常压的条件下氧化20‑90分钟，完成后立即进行PECVD镀膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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