[发明专利]一种减小异质膜组件封损的工艺

权利要求书

1.一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：

刻蚀二次清洗后的产品，送入高温炉以550-900℃温度下，通以500-9000sccm的氧气和氮气，在低压或近常压的条件下氧化20-90分钟，完成后立即进行PECVD镀膜。

2.根据权利要求1所述的一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，热氧化后，PECVD先镀一层30-80nm的高折射率氮化硅膜，然后通入1500-9000sccm的笑气镀一层异质膜，使总膜厚在75-100nm、折射率在2.05以内。

3.根据权利要求1所述的一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，调节印刷后烧结温度使之效果达到最佳，再通以5-20A的电流，在100-350℃的环境温度下，进行注入30-120分钟。

4.根据权利要求1所述的一种减小异质膜组件封损的工艺，其特征在于，所述工艺的具体步骤为：

（1）将刻蚀二次清洗后的产品，送入550-900℃的高温炉内，进行抽真空操作至压力200mtorr以下；

（2）通入500-9000sccm氧气，使压力稳定在200mtorr，时间持续20-90min对硅片进行氧化；

（3）将压力恢复常压，降温取片，完成热氧化抗PID工艺过程；

（4）将热氧化后的硅片送入一真空腔体中进行加热并抽真空至60mtorr以下；

（5）同时通入硅烷与氨气，流量比例1000sccm:4000sccm，使压力稳定在1500mtorr，保持温度在450℃，放电180s，在硅片表面镀上一层膜厚30nm，折射率大于2.2的氮化硅膜；

（6）在步骤（5）基础上再次通入硅烷与氨气，流量比例500sccm:4000sccm，使压力稳定在1500mtorr，保持温度在450℃，放电200s，在第一层氮化硅膜上镀一层膜厚35nm，折射率2.0左右的氮化硅膜；

（7）对炉管进行抽真空至60mtorr以下，持续时间60s；

（8）同时通入硅烷、氨气、笑气，流量比例800sccm：1400sccm：5000sccm，使压力稳定在1700mtorr，保持温度在450℃，放电160s；在第二层氮化硅膜上镀一层膜厚25nm，折射率1.7左右的氮氧化硅异质膜；

（9）通氮气使压力恢复常压，降温取片，完成PECVD镀膜过程；最终形成的氮化硅膜和异质膜总膜厚达到90nm，折射率在1.9，片间均匀性±4%，批间均匀性±4%；

（10）将PECVD镀膜后产品进行丝网印刷后烧结，再通以5-20A的电流，在100-350℃的环境温度下，进行电注入操作30-120min。