[发明专利]一种半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201810925083.3 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828543B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理有限公司 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 300000 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法，本发明实施例的技术方案包括：在具有鳍部的半导体器件形成过程中，通过在伪栅结构刻蚀后再进行隔离相邻栅极的隔离结构的形成。相对于现有技术，得到的隔离结构较宽，可以有效避免两个栅极短路的问题，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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