[发明专利]一种半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底的中间结构，所述半导体衬底的中间结构形成有鳍部以及覆盖部分所述鳍部的栅介质层；

形成覆盖所述栅介质层的非晶硅层，所述非晶硅层的厚度大于所述鳍部的高度；

刻蚀所述非晶硅层形成第一凹槽，所述第一凹槽位于相邻的两个所述鳍部之间；

在所述第一凹槽中形成隔离结构；

去除所述非晶硅层；

其中，形成所述半导体衬底的中间结构包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；

形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构的高度大于所述鳍部的高度；

形成覆盖所述伪栅结构侧壁的介质层；

去除伪栅结构，以形成露出部分所述鳍部的第二凹槽，所述第二凹槽用于限定所述非晶硅层的位置；

形成栅介质层，所述栅介质层覆盖所述第二凹槽中露出的部分所述鳍部。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽的深度大于所述鳍部的高度。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成非晶硅层包括：

在所述第二凹槽中沉积所述非晶硅层。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成第一凹槽的工艺为各向异性刻蚀。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材质为氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成横跨所述鳍部的伪栅结构包括：

形成伪栅材料层；

图案化所述伪栅材料层。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成非晶硅层包括：

非晶硅沉积；

封帽退火。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅介质层包括依次叠置的介质材料层、高介电常数材料层和氮化钛层。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，半导体衬底的中间结构的鳍部之间形成有隔离层，所述隔离层与所述隔离结构的材质相同。