[发明专利]用于图像传感器器件的光阻挡层有效
申请号: | 201810920751.3 | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN109786406B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 郑允玮;周俊豪;李国政 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及可以用于在背侧照明图像传感器器件上形成光阻挡材料层的方法。光阻挡材料层可以阻挡或吸收以掠入角进入背侧照明图像传感器器件的光线。可以使用不需要使用光刻掩模或光刻操作的自对准工艺来形成光阻挡材料层。例如,光阻挡材料层可以形成在图像传感器器件上方并且随后被蚀刻,使得光阻挡材料层保持在以掠入角入射的光线进入背侧照明图像传感器器件的区域中。本发明的实施例还涉及用于图像传感器器件的光阻挡层。 | ||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 器件 阻挡 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:半导体层,具有顶面和底面,其中,所述半导体层包括一个或多个感测区域,所述感测区域配置为感测从所述顶面进入所述半导体层的辐射;栅格结构,具有分别与所述一个或多个感测区域对准的一个或多个单元;透明材料层,布置在所述栅格结构上方,其中,所述透明材料层在所述一个或多个单元的每个上方形成微透镜;以及光阻挡材料层,设置在所述微透镜之间的所述透明材料层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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