[发明专利]用于图像传感器器件的光阻挡层

说明书

本发明涉及可以用于在背侧照明图像传感器器件上形成光阻挡材料层的方法。光阻挡材料层可以阻挡或吸收以掠入角进入背侧照明图像传感器器件的光线。可以使用不需要使用光刻掩模或光刻操作的自对准工艺来形成光阻挡材料层。例如，光阻挡材料层可以形成在图像传感器器件上方并且随后被蚀刻，使得光阻挡材料层保持在以掠入角入射的光线进入背侧照明图像传感器器件的区域中。本发明的实施例还涉及用于图像传感器器件的光阻挡层。

技术领域

本发明的实施例涉及用于图像传感器器件的光阻挡层。

背景技术

半导体图像传感器用于感测可见或非可见辐射；诸如例如可见光、红外光等。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)和电荷耦合器件(CCD)传感器用于各种应用，诸如数码相机、移动电话、平板电脑、护目镜等。在CMOS和CIS器件中起重要作用的像素阵列可以感测投射到传感器的入射辐射并且将其转换为电信号。

发明内容

本发明的实施例提供了一种图像传感器，包括：半导体层，具有顶面和底面，其中，所述半导体层包括一个或多个感测区域，所述感测区域配置为感测从所述顶面进入所述半导体层的辐射；栅格结构，具有分别与所述一个或多个感测区域对准的一个或多个单元；透明材料层，布置在所述栅格结构上方，其中，所述透明材料层在所述一个或多个单元的每个上方形成微透镜；以及光阻挡材料层，设置在所述微透镜之间的所述透明材料层上。

本发明的另一实施例提供了一种半导体图像传感器，包括：栅格结构，所述栅格结构具有设置在半导体层上方的一个或多个单元，所述半导体层设置在多层互连结构上并且配置为感测由所述栅格结构接收的辐射；滤色器，位于所述一个或多个单元的每个中；微透镜，形成在所述栅格结构的所述一个或多个单元上方；以及光阻挡层，设置在所述微透镜之间，其中，所述光阻挡层比所述微透镜更薄。

本发明的又一实施例提供了一种制造半导体图像传感器的方法，所述方法包括：形成具有第一侧和相对的第二侧的半导体层，多层互连结构连接至所述半导体层的第一侧；在所述半导体层的第二侧上形成具有一个或多个单元的栅格结构；在所述栅格结构上方设置透明层以形成与所述一个或多个单元的每个对准的微透镜；以及在相邻的微透镜之间形成光阻挡层，其中，形成所述光阻挡层包括：在所述透明层上方沉积所述光阻挡层；以及蚀刻所述光阻挡层以去除所述微透镜上方的所述光阻挡层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的用于形成图像传感器器件的方法的流程图。

图2是根据本发明的一些实施例的背侧照明图像传感器器件的截面图。

图3是根据本发明的一些实施例的配置为接收滤色器的复合栅格结构的俯视图。

图4是根据本发明的一些实施例的背侧照明图像传感器器件的放大顶部的截面图。

图5是根据本发明的一些实施例的在沉积光阻挡材料层之后的背侧照明图像传感器器件的截面图。

图6是根据本发明的一些实施例的在沉积光阻挡材料层之后的背侧照明图像传感器器件的放大顶部的截面图。

图7是根据本发明的一些实施例的在蚀刻光阻挡材料层之后的背侧照明图像传感器器件的放大顶部的截面图。

图8是根据本发明的一些实施例的在蚀刻光阻挡材料层之后的背侧照明图像传感器器件的截面图。

具体实施方式