[发明专利]一种高性能的宽带有源双平衡混频器在审
| 申请号： | 201810919800.1 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN108712151A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王桐;罗力伟;王祁钰 | 申请（专利权）人： | 四川益丰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 房立普 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能的宽带有源双平衡混频器，包括滤波单元、混频单元、放大单元、RF输入端、LO本振输入端、VDD供电端、GND端、中频输出端IF，所述放大单元、滤波单元、混频单元依次串联连接，所述混频单元中包括Q1场效应管、Q2场效应管、Q3场效应管、Q4场效应管、Q5场效应管、Q6场效应管，所述Q1场效应管、Q2场效应管、Q3场效应管、Q4场效应管、Q5场效应管、Q6场效应管的漏极均设有匹配单元，栅极均设有偏置匹配单元，本发明混频范围广，中频信号增益高，能够满足移动通信、军事侦察的接收系统中的下变频需求，有助于设备的模块化和小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应管 混频单元 双平衡混频器 放大单元 滤波单元 匹配单元 本振输入端 中频输出端 接收系统 军事侦察 依次串联 移动通信 中频信号 供电端 模块化 下变频 混频 漏极 偏置 | ||
【主权项】：
1.一种高性能的宽带有源双平衡混频器，其特征在于，滤波单元、混频单元、放大单元、RF输入端、LO本振输入端、VDD供电端、GND端、中频输出端IF，所述混频单元中包括Q1场效应管(21)、Q2场效应管(22)、Q3场效应管(23)、Q4场效应管(24)、Q5场效应管(25)、Q6场效应管(26)，所述Q1场效应管(21)、Q2场效应管(22)的栅极均连接RF输入端，源极连接GND端，漏极分别连接Q3场效应管(23)、Q4场效应管(24)和Q5场效应管(25)、Q6场效应管(26)的源极；所述Q3场效应管(23)、Q5场效应管(25)的漏极均连接VDD供电端，Q4场效应管(24)、Q6场效应管(26)的漏极均连接滤波单元的输入端，滤波单元的输出端连接放大单元的输入端，Q4场效应管(24)、Q5场效应管(25)的栅极连接GND端，Q3场效应管(23)、Q6场效应管(26)的栅极连接LO本振输入端；所述放大单元包括Q7场效应管(27)、C1电容(20)，所述Q7场效应管(27)的栅极连接滤波单元的输出端，Q7场效应管(27)的漏极连接VDD供电端，Q7场效应管(27)的源极连接GND端，所述C1电容(20)的右端接VDD供电端，左端连接中频输出端IF。
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