[发明专利]一种高性能的宽带有源双平衡混频器

权利要求书

1.一种高性能的宽带有源双平衡混频器，其特征在于，滤波单元、混频单元、放大单元、RF输入端、LO本振输入端、VDD供电端、GND端、中频输出端IF，所述混频单元中包括Q1场效应管(21)、Q2场效应管(22)、Q3场效应管(23)、Q4场效应管(24)、Q5场效应管(25)、Q6场效应管(26)，所述Q1场效应管(21)、Q2场效应管(22)的栅极均连接RF输入端，源极连接GND端，漏极分别连接Q3场效应管(23)、Q4场效应管(24)和Q5场效应管(25)、Q6场效应管(26)的源极；所述Q3场效应管(23)、Q5场效应管(25)的漏极均连接VDD供电端，Q4场效应管(24)、Q6场效应管(26)的漏极均连接滤波单元的输入端，滤波单元的输出端连接放大单元的输入端，Q4场效应管(24)、Q5场效应管(25)的栅极连接GND端，Q3场效应管(23)、Q6场效应管(26)的栅极连接LO本振输入端；

所述放大单元包括Q7场效应管(27)、C1电容(20)，所述Q7场效应管(27)的栅极连接滤波单元的输出端，Q7场效应管(27)的漏极连接VDD供电端，Q7场效应管(27)的源极连接GND端，所述C1电容(20)的右端接VDD供电端，左端连接中频输出端IF。

2.根据权利要求1所述的一种高性能的宽带有源双平衡混频器，其特征在于，所述Q1场效应管(21)、Q2场效应管(22)、Q3场效应管(23)、Q4场效应管(24)、Q5场效应管(25)、Q6场效应管(26)、Q7场效应管(27)的漏极均分别设有匹配单元七、匹配单元八、匹配单元五、匹配单元二、匹配单元六、匹配单元三、匹配单元四，所述滤波单元的输入端设有匹配单元一。

3.根据权利要求2所述的一种高性能的宽带有源双平衡混频器，其特征在于，所述匹配单元七、匹配单元八、匹配单元五、匹配单元二、匹配单元六、匹配单元三、匹配单元四，匹配单元一均包括C2电容(1)、R电阻(2)、C3电容(3)，所述C2电容(1)、R电阻(2)、C3电容(3)相互并联连接。

4.根据权利要求1所述的一种高性能的宽带有源双平衡混频器，其特征在于，所述Q1场效应管(21)、Q2场效应管(22)、Q3场效应管(23)、Q4场效应管(24)、Q5场效应管(25)、Q6场效应管(26)、Q7场效应管(27)的栅极均分别设有偏置匹配单元五、偏置匹配单元六、偏置匹配单元二、偏置匹配单元三、偏置匹配单元七、偏置匹配单元四、偏置匹配单元一。

5.根据权利要求4所述的一种高性能的宽带有源双平衡混频器，其特征在于，所述偏置匹配单元五、偏置匹配单元六、偏置匹配单元二、偏置匹配单元三、偏置匹配单元七、偏置匹配单元四、偏置匹配单元一包括C3电容(4)、M1微带线(5)、M2微带线(6)、C2电容(1)、R电阻(2)、C3电容(3)，所述M1微带线(5)、M2微带线(6)串联连接，M1微带线(5)、M2微带线(6)之间的线路上设有C4电容(4)，所述C4电容(4)的上端接地，所述C2电容(1)、R电阻(2)、C3电容(3)相互并联连接形成匹配单元，M2微带线(6)的右端与匹配单元的输入端连接。

6.根据权利要求1所述的一种高性能的宽带有源双平衡混频器，其特征在于，所述滤波单元包括C5电容(7)、M3微带线(8)、C6电容(9)M4微带线(10)、C7电容(11)，所述C5电容(7)、M3微带线(8)、C6电容(9)、M4微带线(10)、C7电容(11)依次串联连接。

7.根据权利要求3或5任意一项所述的一种高性能的宽带有源双平衡混频器，其特征在于，所述C2电容(1)和C3电容(3)为同一规格的电容。

8.根据权利要求1所述的一种高性能的宽带有源双平衡混频器，其特征在于，本发明封装成芯片模块后，芯片的左端、上端、右端均设有接地单元，所述接地单元上设有正六边形通孔。