[发明专利]发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法在审
| 申请号： | 201810913923.4 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109037410A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 万志;卓祥景;尧刚;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法，其中所述半导体芯片包括一衬底、一N型氮化镓层、一电流扩展层、一量子阱层、一P型氮化镓层、一N型电极和一P型电极，所述N型氮化镓层层叠于所述衬底，所述电流扩展层层叠于所述N型氮化镓层，其中所述电流扩展层包括相互层叠的至少一N‑GaN层和至少一U‑GaN层，所述量子阱层层叠于所述电流扩展层，所述P型氮化镓层层叠于所述量子阱层，所述N型电极被电连接于所述电流扩展层，所述P型电极被电连接于所述P型氮化镓层。所述电流扩展层能够削弱所述半导体芯片的纵向电流扩展能力和提高横向电流扩展能力，这样，有利于电流的均匀分布，从而提高所述半导体芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电流扩展层 半导体芯片 发光二极管 量子阱层 电连接 衬底 横向电流扩展 电流扩展 发光效率 扩展能力 纵向电流 量子阱 制造 削弱 | ||
【主权项】：
1.一发光二极管的半导体芯片，其特征在于，包括：一衬底；一N型氮化镓层，其中所述N型氮化镓层层叠于所述衬底；一电流扩展层，其中所述电流扩展层层叠于所述N型氮化镓层，其中所述电流扩展层包括相互层叠的至少一N‑GaN层和至少一U‑GaN层；一量子阱层，其中所述量子阱层层叠于所述电流扩展层；一P型氮化镓层，其中所述P型氮化镓层层叠于所述量子阱层；一N型电极，其中所述N型电极被电连接于所述电流扩展层；以及一P型电极，其中所述P型电极被电连接于所述P型氮化镓层。
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