[发明专利]发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法在审
| 申请号： | 201810913923.4 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109037410A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 万志;卓祥景;尧刚;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流扩展层 半导体芯片 发光二极管 量子阱层 电连接 衬底 横向电流扩展 电流扩展 发光效率 扩展能力 纵向电流 量子阱 制造 削弱 | ||
1.一发光二极管的半导体芯片，其特征在于，包括：
一衬底；
一N型氮化镓层，其中所述N型氮化镓层层叠于所述衬底；
一电流扩展层，其中所述电流扩展层层叠于所述N型氮化镓层，其中所述电流扩展层包括相互层叠的至少一N-GaN层和至少一U-GaN层；
一量子阱层，其中所述量子阱层层叠于所述电流扩展层；
一P型氮化镓层，其中所述P型氮化镓层层叠于所述量子阱层；
一N型电极，其中所述N型电极被电连接于所述电流扩展层；以及
一P型电极，其中所述P型电极被电连接于所述P型氮化镓层。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述电流扩展层的任意一个所述U-GaN层的两侧均是所述N-GaN层，并且所述电流扩展层的一个所述N-GaN层与所述N型氮化镓层接触，所述电流扩展层的另一个所述N-GaN层与所述量子阱层接触。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中设所述电流扩展层的所述U-GaN层的层数参数为X，所述电流扩展层的所述N-GaN层的层数参数为X+1，其中参数X的取值范围为：5≤X≤30。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述电流扩展层的一个所述U-GaN层于所述N型氮化镓层接触，所述电流扩展层的一个所述N-GaN层于所述量子阱层接触。
5.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中所述电流扩展层的厚度尺寸范围为0.1μm-1μm。
6.根据权利要求3所述的半导体芯片，其中所述电流扩展层的厚度尺寸范围为0.1μm-1μm。
7.根据权利要求1至6中任一所述的半导体芯片，其中所述电流扩展层的所述N-GaN层的厚度尺寸范围为5nm-15nm，所述U-GaN层的厚度尺寸范围为5nm-15nm。
8.根据权利要求1至7中任一所述的半导体芯片，其中所述电流扩展层的所述N-GaN层为硅掺杂层，其中掺杂浓度为1-5x1018cm-3，其中所述U-GaN层为非掺杂层。
9.根据权利要求1至8中任一所述的半导体芯片，进一步包括一氮化镓缓冲层，其中所述氮化镓缓冲层层叠于所述衬底，所述N型氮化镓层层叠于所述氮化镓缓冲层。
10.根据权利要求1至8中任一所述的半导体芯片，进一步包括一保护层，其中所述保护层层叠于所述量子阱层，所述P型氮化镓层层叠于所述保护层。
11.根据权利要求9所述的半导体芯片，进一步包括一保护层，其中所述保护层层叠于所述量子阱层，所述P型氮化镓层层叠于所述保护层。
12.根据权利要求1至8中任一所述的半导体芯片，进一步包括一保护层和一电子阻挡层，其中所述保护层层叠于所述量子阱层，所述电子阻挡层层叠于所述保护层，所述P型氮化镓层层叠于所述电子阻挡层。
13.根据权利要求10所述的半导体芯片，进一步包括一电子阻挡层，其中所述电子阻挡层层叠于所述量子阱层，所述P型氮化镓层层叠于所述电子阻挡层。
14.根据权利要求11所述的半导体芯片，进一步包括一电子阻挡层，其中所述电子阻挡层层叠于所述量子阱层，所述P型氮化镓层层叠于所述电子阻挡层。
15.一半导体芯片的电流扩展层，其特征在于，包括相互层叠的至少一N-GaN层和至少一U-GaN层。
16.根据权利要求14所述的电流扩展层，其中所述电流阻挡层的任意一个所述U-GaN层的两侧均是所述N-GaN层。
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