[发明专利]升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备有效
申请号: | 201810911227.X | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN109192696B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 茅兴飞 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/677;H01J37/32 |
代理公司: | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人: | 左文 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备,其中,升降针系统包括:聚焦环、静电卡盘、聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置;聚焦环起升装置包括:聚焦环顶针和第一升降驱动装置,第一升降驱动装置驱动聚焦环顶针升起或下降,用以将聚焦环顶起或降下;晶圆升针顶升装置包括:晶圆顶针和第二升降驱动装置,第二升降驱动装置驱动晶圆顶针升起或下降,用以将放置在聚焦环上的晶圆顶起或降下。本发明的系统、真空反应腔室以及设备,能够提高异常维护效率;通过在预定工艺时间后精确提升聚焦环的高度,使聚焦环的使用寿命提高一倍;可实现在不破化反应腔真空的情况下更换聚焦环,提高更换易耗件的效率。 | ||
搜索关键词: | 升降 系统 真空 反应 以及 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种升降针系统,其特征在于,包括:聚焦环、静电卡盘、聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置;所述聚焦环设置在所述静电卡盘上,用于放置晶圆;所述聚焦环起升装置和所述晶圆升针顶升装置位于所述静电卡盘的下方;所述聚焦环起升装置包括:聚焦环顶针和第一升降驱动装置,所述第一升降驱动装置驱动所述聚焦环顶针升起或下降,用以将所述聚焦环顶起或降下;所述晶圆升针顶升装置包括:晶圆顶针和第二升降驱动装置,所述第二升降驱动装置驱动所述晶圆顶针升起或下降,用以将放置在所述聚焦环上的晶圆顶起或降下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造