[发明专利]一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺

摘要

本发明属于太阳能多晶电池片技术领域。本发明公开太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺，其包括预清洗、清洗、氧化层去除和干燥等步骤，预清洗阶段采用氢氧化钠和过氧化氢混合液进行清洗，清洗阶段采用高浓度碱液进行浸渍。本发明中的方法可使用简易的槽式设备，对砂浆/金刚线硅片RIE黑硅前预清洗，不仅除去硅片切割过程中产生的损伤层、还能去除硅片表面的杂质，例如油脂、金属颗粒及其余有机物；对于原始硅片的表面杂质处理，能减少表面污染、降低体内复合，在后续的扩散，氢钝化能得到很好的钝化效果，从而提高黑硅电池转换效率。

主权项

1.一种太阳能多晶RIE制备黑硅前的清洗工艺，其特征在于包括以下步骤：a）预清洗：采用清洗液对硅片进行与清洗去除有机杂质和颗粒杂质，清洗温度为50～60℃，清洗时间2～5分钟，完成后用水冲洗；b）清洗：将经步骤a）处理后的硅片在高浓度碱性液中浸渍3～5分钟去除损伤层，温度为50～60℃，完成后用水冲洗；c）氧化层去除：将经步骤b）处理后的硅片在氢氟酸‑盐酸混合液中浸渍50～70秒去除氧化层和残余碱，完成后用水冲洗；d）干燥。