[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810908682.4 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN110828465B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈建廷;蔡耀庭;张荣和;廖修汉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器装置及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成多个隔离结构于基板中；形成第一多晶硅层于基板上且位于两个相邻的隔离结构之间；进行第一注入工艺，以将第一掺质注入于第一多晶硅层及隔离结构中；部分地移除隔离结构，以使隔离结构的每一者的剩余部分具有实质平坦的顶表面；在部分地移除隔离结构之后进行退火工艺，以使第一掺质均匀扩散于第一多晶硅层中；形成介电层于第一多晶硅层上，以及形成第二多晶硅层于介电层上。通过本发明能够改善非易失性存储器装置的电性效能、良率及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810908682.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
