[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种非易失性存储器装置及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成多个隔离结构于基板中；形成第一多晶硅层于基板上且位于两个相邻的隔离结构之间；进行第一注入工艺，以将第一掺质注入于第一多晶硅层及隔离结构中；部分地移除隔离结构，以使隔离结构的每一者的剩余部分具有实质平坦的顶表面；在部分地移除隔离结构之后进行退火工艺，以使第一掺质均匀扩散于第一多晶硅层中；形成介电层于第一多晶硅层上，以及形成第二多晶硅层于介电层上。通过本发明能够改善非易失性存储器装置的电性效能、良率及可靠度。

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置，且特别是有关于一种非易失性存储器装置及其制造方法。

背景技术

在非易失性存储器中，依据存储器内的资料能否在使用电脑时随时改写，可分为二大类产品，分别为只读存储器与快闪存储器。其中快闪存储器因成本较低，而逐渐成为非易失性存储器的主流技术。

随着电子产品日渐小型化的趋势，对于非易失性存储器装置亦有逐渐小型化的需求。因此，对于具有高可靠度及高产品良率的非易失性存储器装置仍有所需求。

发明内容

本发明的一实施例揭示一种非易失性存储器装置的制造方法，包括：形成多个隔离结构于基板中；形成第一多晶硅层于基板上且位于两个相邻的隔离结构之间；进行第一注入工艺，以将第一掺质注入于第一多晶硅层及隔离结构中；部分地移除隔离结构，以使隔离结构的每一者的剩余部分具有实质平坦的顶表面；在部分地移除隔离结构之后，进行退火工艺，以使第一掺质均匀扩散于第一多晶硅层中；形成介电层于第一多晶硅层上；以及形成第二多晶硅层于该介电层上。

本发明的另一实施例揭示一种非易失性存储器装置，包括：多个隔离结构，形成于基板中，其中各隔离结构具有实质平坦的顶表面；第一多晶硅层，形成于基板上且位于两个相邻的隔离结构之间；介电层，形成于第一多晶硅层上；以及第二多晶硅层，形成于介电层上。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1A至图1I为本发明一些实施例的非易失性存储器装置的制作工艺剖面示意图。

图2绘示出比较例1及实施例1的非易失性存储器装置的浅沟隔离结构凹陷深度变异性的实验结果。

附图标号：

10～阵列区                     116～第二绝缘材料

20～周边区                     120～注入工艺

100～非易失性存储器装置        122～第一多晶硅层

102～基板                      125～第三凹口

104～穿隧氧化物层              130～注入工艺

105～第一凹口                  132～介电层

106～牺牲层                    135～第四凹口

110～注入工艺                  142～第二多晶硅层

112～绝缘衬层                  D1～第一深度

113～掩膜层                    W1～顶部宽度

114～第一绝缘材料              W2～底部宽度

115～第二凹口