[发明专利]基于硅纳米砖阵列的宽带反射式半波片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810904609.X | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN108897089A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郑国兴;陶金;李嘉鑫;武霖;刘子晨;尤全 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 沈林华 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅纳米砖阵列的宽带反射式半波片及其制备方法，涉及微纳光学和偏振光学领域。该半波片包括从下至上排列的基底、金属反射层、电介质薄膜层和硅纳米砖阵列，所述硅纳米砖阵列由旋向和尺寸相同的硅纳米砖周期排列构成，优化所述半波片的结构参数，使得该半波片在光纤通信波段下的线偏振光入射后，反射光在长短轴方向的分量产生π的相位延迟，改变入射光的偏振方向。本发明对于波长在1400～1700nm的光波，能让反射光的长短轴方向产生π的相位延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 半波片 硅纳米 宽带反射 相位延迟 长短轴 反射光 制备 电介质薄膜层 光纤通信波段 金属反射层 结构参数 偏振光学 微纳光学 线偏振光 周期排列 光波 入射光 波长 基底 偏振 入射 旋向 优化 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅纳米砖阵列的宽带反射式半波片，其特征在于：该半波片包括从下至上排列的基底(4)、金属反射层(3)、电介质薄膜层(2)和硅纳米砖阵列(1)，所述硅纳米砖阵列(1)由旋向和尺寸相同的硅纳米砖周期排列构成，优化所述半波片的结构参数，使得该半波片在光纤通信波段下的线偏振光入射后，反射光在长短轴方向的分量产生π的相位延迟，改变入射光的偏振方向。
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