[发明专利]一种单晶硅片的退火方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅片的退火方法。包括：a、启动退火炉，并充入保护气体，将温度升至740～760℃，保温25～35分钟，放入单晶硅片，再次在740～760℃下，保温10～40分钟；b、将退火炉的温度降至640～660℃，保温10～40分钟；c、将单晶硅片迅速移出所述退火炉外，放入风淋机构中，一侧送风，一侧出风，送风口设有冷凝机组对进风降温，由风机将冷空气吹向单晶硅片，风速为3～7m/s，空气温度为10～16℃，将单晶硅片放置在中间的风道上，并且让冷风从侧面吹过上下平面，保证两侧均匀，在3～5min内，将单晶硅片冷却至室温。本发明的有益效果是：能够有效地消除由于氧施主效应造成的电阻率虚高的现象，退火后的阻值稳定，而浮动小。

主权项

1.一种单晶硅片的退火方法,包括：a、启动退火炉，并充入保护气体，将温度升至740～760℃，保温25～35分钟，放入单晶硅片，再次在740～760℃下，保温10～40分钟；b、将退火炉的温度降至640～660℃，保温10～40分钟；c、将单晶硅片迅速移出所述退火炉外，放入风淋机构中，一侧送风，一侧出风，送风口设有冷凝机组对进风降温，由风机将冷空气吹向单晶硅片，风速为3～7m/s，空气温度为10～16℃，将单晶硅片放置在中间的风道上，并且让冷风从侧面吹过上下平面，保证两侧均匀，在3～5min内，将单晶硅片冷却至室温；其中，在步骤c中，降温曲线函数为：T为降温速率℃/s，t为降温的时间s，v为风速m/s，C为单晶硅的比热容C＝0.219cal/g·k，R为单晶硅的半径cm，H为硅片的厚度cm，ρ为单晶硅的密度2.33g/cm3。