[发明专利]一种单晶硅片的退火方法

权利要求书

1.一种单晶硅片的退火方法,包括：

a、启动退火炉，并充入保护气体，将温度升至740～760℃，保温25～35分钟，放入单晶硅片，再次在740～760℃下，保温10～40分钟；

b、将退火炉的温度降至640～660℃，保温10～40分钟；

c、将单晶硅片迅速移出所述退火炉外，放入风淋机构中，一侧送风，一侧出风，送风口设有冷凝机组对进风降温，由风机将冷空气吹向单晶硅片，风速为3～7m/s，空气温度为10～16℃，将单晶硅片放置在中间的风道上，并且让冷风从侧面吹过上下平面，保证两侧均匀，在3～5min内，将单晶硅片冷却至室温；

所述单晶硅片为直径大于385mm,厚度大于10mm的单晶硅片；

其中，在步骤c中，降温曲线函数为：

T为降温速率℃/s，t为降温的时间s，v为风速m/s，C为单晶硅的比热容C＝0.219cal/g·k，R为单晶硅的半径cm，H为硅片的厚度cm，ρ为单晶硅的密度2.33g/cm³。

2.根据权利要求1所述的单晶硅片的退火方法，其特征在于：在步骤a中所述保护气体为氩气。

3.根据权利要求1所述的单晶硅片的退火方法，其特征在于：在步骤a中放入单晶硅片后，在750℃下，保温30分钟。

4.根据权利要求1所述的单晶硅片的退火方法，其特征在于：在步骤b中，将退火炉的温度降至650℃，保温30分钟。

5.根据权利要求1所述的单晶硅片的退火方法，其特征在于：在步骤c中，风速为4m/s，空气温度为14℃。

6.根据权利要求1所述的单晶硅片的退火方法，其特征在于：在步骤a前应对所述单晶硅片进行预处理，所述预处理的方法为将单晶硅放入氢氟酸、乙醇和去离子水的混合溶液中清洗，再用氮气吹干；所述混合溶液中包含体积分数为5～10％的氢氟酸，10～20％的乙醇，其余为去离子水。