[发明专利]改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置有效
| 申请号： | 201810897899.X | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109256416B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈致维;沈佑书;林昆贤 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，包含属于第一导电型的一半导体基板、属于第二导电型的一第一掺杂井区、属于第一导电型的一第一重掺杂区、属于第二导电型的一第二掺杂井区、属于第一导电型的一第二重掺杂区与一第一电流阻挡结构。第一掺杂井区设于半导体基板中，第一重掺杂区设于第一掺杂井区中，第二掺杂井区设于半导体基板中，第二重掺杂区设于第二掺杂井区中。第一电流阻挡结构设于半导体基板中，并与半导体基板的底部相隔，且设于第一掺杂井区与第二掺杂井区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 静电 放电 防护 能力 瞬时 电压 抑制 装置 | ||
【主权项】：
1.一种改善静电放电防护能力的瞬时电压抑制装置，其特征在于，包含：一半导体基板，属于第一导电型；一第一掺杂井区，属于第二导电型，该第一掺杂井区设于该半导体基板中，并与该半导体基板的底部相隔；一第一重掺杂区，属于该第一导电型，该第一重掺杂区设于该第一掺杂井区中；一第二掺杂井区，属于该第二导电型，该第二掺杂井区设于该半导体基板中，并与该半导体基板的该底部相隔；一第二重掺杂区，属于该第一导电型，该第二重掺杂区设于该第二掺杂井区中；以及一第一电流阻挡结构，设于该半导体基板中，并与该半导体基板的该底部相隔，且设于该第一掺杂井区与该第二掺杂井区之间，该第一电流阻挡结构的深度大于或等于该第一掺杂井区与该第二掺杂井区的深度。
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