[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件和操作该半导体器件的方法，尤其涉及一种包括存储器单元阵列的半导体存储器件和操作该半导体存储器件的方法。所述存储器件包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及外围电路，其被配置成将选中的存储器单元编程为目标编程状态，其中当选中的存储器单元的阈值电压高于第一验证电压且低于第二验证电压时，所述外围电路通过向选中的存储器单元的位线施加根据阈值电压确定的位线电压来执行编程操作。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成：当编程电压被施加至选中的存储器单元的字线时，所述外围电路通过将第一电压、大于所述第一电压的第二电压、以及第三电压中的至少一种施加至所述选中的存储器单元的位线来对所述选中的存储器单元执行编程操作进入目标编程状态，其中所述第三电压介于所述第一电压和所述第二电压之间；其中，所述外围电路被配置成：当所述选中的存储器单元的阈值电压高于第一验证电压且低于第二验证电压时，所述外围电路基于所述阈值电压与所述第二验证电压之差来确定所述第三电压，以及将所确定的第三电压施加至所述选中的存储器单元的位线。