[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；以及

外围电路，所述外围电路被配置成：当编程电压被施加至选中的存储器单元的字线时，所述外围电路通过将第一电压、大于所述第一电压的第二电压、以及第三电压中的至少一种施加至所述选中的存储器单元的位线来对所述选中的存储器单元执行编程操作进入目标编程状态，其中所述第三电压介于所述第一电压和所述第二电压之间；

其中，所述外围电路被配置成：当所述选中的存储器单元的阈值电压高于第一验证电压且低于第二验证电压时，所述外围电路基于所述阈值电压与所述第二验证电压之差来确定所述第三电压，以及将所确定的第三电压施加至所述选中的存储器单元的位线。

2.一种操作半导体存储器件的方法，将选中的存储器单元编程为目标编程状态，所述方法包括以下步骤：

以第一验证电压执行确定所述选中的存储器单元是否通过编程的第一验证操作；

识别在所述第一验证操作中通过编程的所述选中的存储器单元的阈值电压；

基于所识别出的阈值电压与对应于所述目标编程状态的第二验证电压之差来计算要施加到所述选中的存储器单元的位线的位线电压；以及

通过向选中的字线施加编程电压并向所述选中的存储器单元的位线施加所算得的位线电压来编程所述选中的存储器单元。