[发明专利]集成悬臂开关有效
| 申请号： | 201810895719.4 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109052316B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 柳青;J·H·张 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y40/00;H01H1/00;H01H49/00;H01H50/00;H01H59/00;H01L21/02;H01L21/306;H01L29/84 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开涉及集成悬臂开关。一种纳米级机电开关形式的集成晶体管消除了CMOS电流泄露并且提高了开关速度。纳米级机电开关以从衬底的一部分延伸到腔中的半导悬臂为特征。悬臂响应于施加到晶体管栅极的电压而弯曲，因此在栅极下方形成导电沟道。当器件关断时，悬臂回到它的静止位置。这种悬臂的移动将电路断开，在栅极下方恢复不允许电流流动的空洞，因此解决了泄露的问题。纳米机电开关的制作与现有的CMOS晶体管制作流程兼容。通过掺杂悬臂并且使用背偏置和金属悬臂末端，可以进一步改进开关的灵敏度。纳米机电开关的面积可以小至0.1x0.1μm |
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| 搜索关键词： | 集成 悬臂 开关 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：硅衬底；分层的堆叠，在所述硅衬底上，所述分层的堆叠包括：交替布置的第一外延半导材料和第二外延半导材料；和可移动构件，其一端从所述第二外延半导材料延伸到腔中；晶体管栅极结构，在所述可移动构件之上；抬升的源极区域，通过绝缘材料与所述晶体管栅极结构间隔开；以及抬升的漏极区域，通过所述绝缘材料与所述晶体管栅极结构间隔开。
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