[发明专利]集成悬臂开关有效

专利信息
申请号: 201810895719.4 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN109052316B 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 柳青;J·H·张 申请(专利权)人: 意法半导体公司
主分类号: B82B1/00 分类号: B82B1/00;B82B3/00;B82Y40/00;H01H1/00;H01H49/00;H01H50/00;H01H59/00;H01L21/02;H01L21/306;H01L29/84
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 集成 悬臂 开关
【权利要求书】:

1.一种微机电系统装置,包括:

硅衬底;

分层的堆叠,在所述硅衬底上,所述分层的堆叠包括:

在所述硅衬底上的外延半导材料的第一层;

在所述第一层上的外延半导材料的第二层,所述第二层包括可移动构件,其一端从所述第二层延伸到腔中;以及

在所述第二层上的外延半导材料的第三层;

晶体管栅极结构,在所述可移动构件之上;

抬升的源极区域,通过玻璃材料与所述晶体管栅极结构间隔开;以及

抬升的漏极区域,通过所述玻璃材料与所述晶体管栅极结构间隔开。

2.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述抬升的源极区域和所述抬升的漏极区域是琢面的。

3.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述可移动构件是悬臂。

4.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述玻璃材料是旋涂式玻璃材料。

5.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述晶体管栅极结构包括金属栅极、高k栅极电介质和绝缘侧壁间隔件。

6.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述外延半导材料包括硅。

7.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其中所述硅衬底是包括掩埋氧化物层的绝缘体上硅衬底。

8.根据权利要求1所述的微机电系统装置,进一步包括在所述可移动构件的所述一端上的金属末端。

9.一种用于制造微机电系统装置的方法,包括:

在硅衬底之上形成分层的堆叠,所述分层的堆叠包括半导体材料的第一层、第二层和第三层;

通过去除半导体材料的所述第一层、所述第二层和所述第三层的部分来形成柔性构件,所述柔性构件从所述分层的堆叠的所述第二层延伸到腔中;

在所述柔性构件和所述腔之上形成栅极;以及

形成与所述栅极的侧面相邻的抬升的源极区域和漏极区域,所述抬升的源极区域和所述抬升的漏极区域在所述分层的堆叠的所述第三层上。

10.根据权利要求9所述的方法,进一步包括通过以下来形成所述腔:

在半导体材料的所述第一层中形成第一开口;

在半导体材料的所述第二层中形成第二开口;

在半导体材料的所述第三层中形成第三开口;

用牺牲材料来填充所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口;

在所述牺牲材料上形成所述栅极;以及

去除所述牺牲材料。

11.根据权利要求9所述的方法,其中形成抬升的源极区域和抬升的漏极区域包括将所述抬升的源极区域和所述抬升的漏极区域形成为与所述栅极间隔开一距离。

12.根据权利要求9所述的方法,进一步包括在所述栅极与所述抬升的源极区域和所述抬升的漏极区域之间形成开口,通过穿过所述开口去除牺牲材料来形成所述腔,以及密封所述开口。

13.根据权利要求9所述的方法,进一步包括:

通过选择性地去除所述抬升的源极区域和所述抬升的漏极区域的部分而在所述栅极的基底处形成开口;

从所述分层的堆叠选择性地去除半导体材料的所述第一层、所述第二层和所述第三层的部分;以及

通过在所述开口中形成玻璃材料来填充所述抬升的源极区域和所述抬升的漏极区域的开口。

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