[发明专利]发光器件的制造方法

摘要

本发明提供一种可在DPP退火时有效率地加热元件并在驱动时抑制元件的发热的、发光器件的制造方法。发光器件的制造方法在形成于p型半导体部的第一区域下的、p型掺杂剂浓度低的低浓度部上形成第一p型电极，在形成于p型半导体部的第二区域下的、p型掺杂剂浓度高的高浓度部上形成第二p型电极，并在DPP退火时对第一p型电极与形成于n型半导体部上的第一n型电极之间施加规定的正向偏置电压。

主权项

1.一种发光器件的制造方法，其特征在于，包括：元件制作工序，对包含以1×1014个/cm3以上且1×1016个/cm3以下的浓度范围均匀地扩散有包含砷及锑中的一者以上的n型掺杂剂的单晶硅的基板的厚度方向上的其中一个面，以1×1019个/cm3以上且1×1021个/cm3以下的浓度范围进行硼的离子注入，由此制作在所述其中一个面侧形成有以p型掺杂剂的浓度高于n型掺杂剂的浓度的方式扩散的p型半导体部，在与所述其中一个面对向的另一个面侧形成有扩散有n型掺杂剂的n型半导体部，并在所述p型半导体部与所述n型半导体部的边界部形成有pn接合部的元件；第一低电阻部制作工序，通过对所述其中一个面的除去第一区域之外的第二区域进行研磨或对所述第二区域进行p型掺杂剂的离子注入，而将所述第二区域下的所述p型半导体部的p型掺杂剂的浓度设为1×1019个/cm3以上；第一电极形成工序，在所述第一区域形成第一p型电极，在所述第二区域形成独立于所述第一p型电极的第二p型电极，在所述另一个面上形成第一n型电极；以及DPP退火工序，以所述p型半导体部侧为正电压，所述n型半导体部侧为负电压的方式对所述第一p型电极及所述第一n型电极施加规定的正向偏置电压而使所述pn接合部中流动电流，通过所产生的热使所述pn接合部内的p型掺杂剂及n型掺杂剂扩散而使掺杂剂分布反复变化，并且使所述pn接合部中的导电带及价电子带中产生反转分布，并使形成有反转分布的导电带中的电子受激发射，由此使所述pn接合中流动的电流减少而使温度下降，并使所述pn接合部内的p型掺杂剂及n型掺杂剂的分布固定。