[发明专利]发光器件的制造方法

权利要求书

1.一种发光器件的制造方法，其特征在于，包括：

元件制作工序，对包含以1×10¹⁴个/cm³以上且1×10¹⁶个/cm³以下的浓度范围均匀地扩散有包含砷及锑中的一者以上的n型掺杂剂的单晶硅的基板的厚度方向上的其中一个面，以1×10¹⁹个/cm³以上且1×10²¹个/cm³以下的浓度范围进行硼的离子注入，由此制作在所述其中一个面侧形成有以p型掺杂剂的浓度高于n型掺杂剂的浓度的方式扩散的p型半导体部，在与所述其中一个面对向的另一个面侧形成有扩散有n型掺杂剂的n型半导体部，并在所述p型半导体部与所述n型半导体部的边界部形成有pn接合部的元件；

第一低电阻部制作工序，通过对所述其中一个面的除去第一区域之外的第二区域进行研磨或对所述第二区域进行p型掺杂剂的离子注入，而将所述第二区域下的所述p型半导体部的p型掺杂剂的浓度设为1×10¹⁹个/cm³以上；

第一电极形成工序，在所述第一区域形成第一p型电极，在所述第二区域形成独立于所述第一p型电极的第二p型电极，在所述另一个面上形成第一n型电极；以及

DPP退火工序，以所述p型半导体部侧为正电压，所述n型半导体部侧为负电压的方式对所述第一p型电极及所述第一n型电极施加规定的正向偏置电压而使所述pn接合部中流动电流，通过所产生的热使所述pn接合部内的p型掺杂剂及n型掺杂剂扩散而使掺杂剂分布反复变化，并且使所述pn接合部中的导电带及价电子带中产生反转分布，并使形成有反转分布的导电带中的电子受激发射，由此使所述pn接合中流动的电流减少而使温度下降，并使所述pn接合部内的p型掺杂剂及n型掺杂剂的分布固定。

2.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，还包括：

第一电极去除工序，在所述DPP退火工序后去除所述第一n型电极；

第二低电阻部制作工序，通过添加n型掺杂剂，而将所述n型半导体部的n型掺杂剂的浓度设为1×10¹⁹个/cm³以上；以及

第二电极形成工序，在所述另一个面上再形成第二n型电极。

3.根据权利要求2所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述第二低电阻部制作工序通过在能够形成所述pn接合部的范围内将所述n型半导体部研磨薄并对所述另一个面进行n型掺杂剂的离子注入，而使所述n型半导体部的n型掺杂剂的浓度为1×10¹⁹个/cm³以上。