[发明专利]半导体存储器及存储器系统有效
| 申请号： | 201810886131.2 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110299169B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 高际辉男 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能提高存储单元中所存储的数据的恢复能力的半导体存储器及存储器系统。实施方式的半导体存储器包含多个第1及第2存储单元、分别连接于多个第1及第2存储单元的多条第1及第2位线、共通连接于多个第1及第2存储单元各者的字线、以及驱动器。若接收第1指令，则执行第1动作。在第1动作中，驱动器对字线：施加多种第1读出电压，施加多种第1读出电压中的一种而对多个第1存储单元进行读出，施加多种第2读出电压，施加多种第2读出电压中的一种而对多个第2存储单元进行读出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于包含：多个第1存储单元，各自可存储数据；多条第1位线，连接于所述多个第1存储单元；多个第2存储单元，各自可存储数据；多条第2位线，连接于所述多个第2存储单元；字线，共通连接于所述多个第1及第2存储单元各者；及驱动器，对所述字线施加电压；且若接收第1指令，则执行第1动作，在所述第1动作中，所述驱动器对所述字线：施加多种第1读出电压，施加所述多种第1读出电压中的一种而对所述多个第1存储单元进行读出，施加多种第2读出电压，施加所述多种第2读出电压中的一种而对所述多个第2存储单元进行读出。
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