[发明专利]一种制备卤化铅钙钛矿薄膜的方法及其应用

摘要

本发明属于薄膜材料的制备领域，具体涉及一种制备卤化铅钙钛矿薄膜的方法及其应用。该方法的主要步骤为：将钙钛矿前驱溶液滴加在高速旋转的基板上，一定时间后，滴加反极性溶剂冲洗基板表面，待膜干燥后进行退火处理，即可制备高质量钙钛矿薄膜。本发明制备的卤化铅钙钛矿薄膜纯度高、表面平整、结晶性高、并具有优异的光电转换性能。与传统旋涂法相比，这种工艺制备的卤化铅钙钛矿薄膜表面平整、结晶性高，可节约80％的前驱溶液，大幅度降低卤化铅钙钛矿薄膜的制备成本，在钙钛矿太阳能电池、发光二极管、光电探测器、气敏元件和激光器中得到广泛应用。

主权项

1.一种制备卤化铅钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)卤化铅钙钛矿薄膜材料的结构式为AMX3，式中A为CH3NH3+、NH2‑CH＝NH2+、Cs+中的一种或两种以上的混合离子，M为Pb2+、Sn2+中的一种或两种，X为Cl‑、Br‑、I‑中的一种或两种以上的混合离子；(2)将卤化铅钙钛矿前驱体溶液滴加于转动的基板上，间隔一段时间后，滴加反极性溶剂冲洗液膜，待液膜完全干燥后停止转动，并将基板进行80℃～250℃退火处理，获得高质量卤化铅钙钛矿薄膜。