[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及采用该方法制备的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201810876708.1 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109065455A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李子然 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/41 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法及采用该方法制备的薄膜晶体管，制备方法包括步骤：在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层及金属层；在金属层上形成图形化的光阻层；进行第一次湿法刻蚀，形成图形化的金属层，图形化的金属层具有暴露的侧面；对金属层暴露的侧面进行钝化处理，以在暴露的侧面上形成钝化膜；进行第一次干法刻蚀，去除部分欧姆接触层及半导体层，钝化膜避免金属层的侧面被刻蚀；进行第二次湿法刻蚀，去除部分金属层，形成源漏极数据线层，金属层有部分侧面被暴露；进行第二次干法刻蚀，去除部分欧姆接触层，形成有源层；去除光阻层，暴露源漏极数据线层；沉积层间绝缘层及像素电极，形成薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 薄膜晶体管 制备 去除 欧姆接触层 侧面 图形化 暴露 半导体层 干法刻蚀 湿法刻蚀 数据线层 钝化膜 光阻层 源漏极 绝缘层 栅极绝缘层 钝化处理 像素电极 沉积层 基板 刻蚀 源层 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在对半导体层或者欧姆接触层进行干法刻蚀前，对位于所述欧姆接触层上的图形化的金属层暴露的侧面进行钝化处理，使暴露的侧面覆盖一钝化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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