[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及采用该方法制备的薄膜晶体管

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法及采用该方法制备的薄膜晶体管，制备方法包括步骤：在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层及金属层；在金属层上形成图形化的光阻层；进行第一次湿法刻蚀，形成图形化的金属层，图形化的金属层具有暴露的侧面；对金属层暴露的侧面进行钝化处理，以在暴露的侧面上形成钝化膜；进行第一次干法刻蚀，去除部分欧姆接触层及半导体层，钝化膜避免金属层的侧面被刻蚀；进行第二次湿法刻蚀，去除部分金属层，形成源漏极数据线层，金属层有部分侧面被暴露；进行第二次干法刻蚀，去除部分欧姆接触层，形成有源层；去除光阻层，暴露源漏极数据线层；沉积层间绝缘层及像素电极，形成薄膜晶体管。

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制备方法及采用该方法制备的薄膜晶体管。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。高分辨率和低功耗是目前TFT-LCD的发展趋势，这些都对TFT-LCD的制造工艺提出了更高的要求。其中，采用电阻率更低的金属材料作为数据线材料是发展趋势之一，例如，现有TFT-LCD采用铝/钼的金属叠层制作数据线，为降低功耗，需要改用铝/钕(AlNd)叠层、纯铝(Al)或纯铜(Cu)等电阻率更低的材料制作数据线。例如，在当前大尺寸的a-Si液晶面板中数据线均采用纯铜，因其电阻低可有效降低RC延迟，满足大尺寸、高刷新率、高分辨率要求，且相对于其他金属，其成本更低。

目前，在该领域惯用的制备薄膜晶体管的工艺流程是先沉积a-Si层和源漏极金属层，再采用两次湿法刻蚀和两次干法刻蚀(2W2D)交替进行的方式对源漏极金属层及a-Si层进行刻蚀。该工艺既有优点又有缺点。其优点在于，可以节省一道光罩；其缺点在于，该种方法会对源漏极产生一些不良影响，刻蚀后的源漏极数据线的线宽均一性无法保证，同时源漏极数据线存在锯齿状缺陷，细线处有断线。造成上述缺点的原因在于，第一次干法刻蚀a-Si所用的刻蚀气体为氯气(Cl₂)，则在刻蚀过程中会有Cl残留，该残留的Cl会对源漏极数据线进行过刻蚀，进而导致最终形成的源漏极数据线存在上述缺点。

图1是采用现有的工艺流程制备的薄膜晶体管的数据线的照片图，从图1可以看出，刻蚀后的源漏极数据线的线宽不均一，且源漏极数据线存在锯齿状缺陷，细线处有断线。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种薄膜晶体管的制备方法及采用该方法制备的薄膜晶体管，其能够保证形成的薄膜晶体的源漏极数据线层的数据线的线宽均一，没有锯齿状的缺陷，且在细线处不会出现断线。

为了解决上述问题，本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在对半导体层或者欧姆接触层进行干法刻蚀前，对位于所述欧姆接触层上的图形化的金属层暴露的侧面进行钝化处理，使暴露的侧面覆盖一钝化膜。

在一实施例中，所述制备方法包括如下步骤：在一基板上形成栅极；在所述基板及栅极形成一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次形成半导体层、欧姆接触层及金属层；在所述金属层上形成一图形化的光阻层；以所述光阻层为掩膜对所述金属层进行第一次湿法刻蚀，形成图形化的金属层，所述图形化的金属层具有暴露的侧面；对所述图形化的金属层暴露的侧面进行钝化处理，以在暴露的侧面上形成一钝化膜；以所述光阻层为掩膜进行第一次干法刻蚀，去除部分欧姆接触层及半导体层，所述钝化膜避免所述图形化的金属层的暴露的侧面被刻蚀；去除部分光阻层，以暴露出部分图形化的金属层；以光阻层作为掩膜进行第二次湿法刻蚀，去除部分图形化的金属层，形成源漏极数据线层，其中，所述图形化的金属层有部分侧面被暴露；以光阻层作为掩膜进行第二次干法刻蚀，去除部分欧姆接触层，形成有源层；去除光阻层，暴露源漏极数据线层；沉积层间绝缘层及像素电极，形成薄膜晶体管。

在一实施例中，所述光阻层包括第一区域及第二区域，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度，在第一次干法刻蚀之后，第二区域的光阻层被完全去除。