[发明专利]一种超细TiO2纳米晶阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201810871136.8 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN108840579A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 黄俊;达令;徐光青;吕珺 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超细TiO2纳米晶阵列，尺寸为10‑50nm大小的TiO2纳米晶垂直生长于FTO导电玻璃基体上构成的超细TiO2纳米晶阵列；其制备方法为：通过水热反应于清洁的FTO导电玻璃基底上生长TiO2纳米晶阵列，水热反应溶液为含有可溶性Ti盐的无机酸性水溶液，水热反应产物经煅烧获得TiO2纳米晶阵列，最后利用碱性溶液的液相刻蚀获得超细TiO2纳米晶阵列。本发明结合TiO2纳米晶阵列的结构、性能特点，构造尺寸至于10‑50nm的超细TiO2纳米晶阵列具有高比表面积，从降低光生电子‑空穴对复合几率和提高TiO2纳米棒表面反应活性两个方面提高其光电化学活性和光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米晶 超细 水热反应 制备 表面反应活性 光电转化效率 水热反应产物 空穴 垂直生长 复合几率 光电化学 光生电子 碱性溶液 无机酸性 性能特点 液相刻蚀 纳米棒 基底 煅烧 清洁 生长 | ||
【主权项】：
1.一种超细TiO2纳米晶阵列，其特征在于：尺寸为10‑50nm大小的TiO2纳米晶垂直生长于FTO导电玻璃基体上构成的超细TiO2纳米晶阵列。
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