[发明专利]一种超细TiO2纳米晶阵列及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810871136.8 申请日: 2018-08-02
公开(公告)号: CN108840579A 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 黄俊;达令;徐光青;吕珺 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 沈尚林
地址: 230000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 纳米晶 超细 水热反应 制备 表面反应活性 光电转化效率 水热反应产物 空穴 垂直生长 复合几率 光电化学 光生电子 碱性溶液 无机酸性 性能特点 液相刻蚀 纳米棒 基底 煅烧 清洁 生长
【权利要求书】:

1.一种超细TiO2纳米晶阵列,其特征在于:尺寸为10-50nm大小的TiO2纳米晶垂直生长于FTO导电玻璃基体上构成的超细TiO2纳米晶阵列。

2.一种如权利要求1所述的超细TiO2纳米晶阵列的制备方法,其特征在于:通过水热反应于清洁的FTO导电玻璃基底上生长TiO2纳米晶阵列,水热反应溶液为含有可溶性Ti盐的无机酸性水溶液,水热反应产物经煅烧获得TiO2纳米晶阵列,最后利用碱性溶液的液相刻蚀获得超细TiO2纳米晶阵列。

3.如权利要求2所述的超细TiO2纳米晶阵列的制备方法,其特征在于:具体步骤如下:

(1)将FTO导电玻璃置于异丙醇、酒精、去离子水的混合溶液中超声清洗后烘干保存待用;

(2)将浓度为2-8mol/L的无机酸溶液缓慢加入去离子水,并利用磁力搅拌器混合均匀;然后利用移液枪加入浓度为0.01-0.10mol/L的钛源溶液,搅拌至混合均匀转入反应釜中,将步骤(1)清洗后的FTO导电玻璃浸入其中,密封后的反应釜经过高温处理后置于150-240℃的烘箱内保温50-400min,冷却后取出FTO导电玻璃,清洗得到生长于FTO导电玻璃的TiO2纳米晶阵列;

(3)将生长于FTO导电玻璃的TiO2纳米晶阵列置于马弗炉中于400-550℃煅烧60-150min;

(4)配置0.001-0.5mol/L的碱性溶液,将步骤(3)产物置入碱性溶液中刻蚀30-200min,清洗后,获得超细TiO2纳米晶阵列。

4.如权利要求3所述的超细TiO2纳米晶阵列的制备方法,其特征在于:步骤(2)中所用的钛源溶液为钛酸四丁酯、四氯化钛、异丙醇钛中的一种或者多种混合溶液。

5.如权利要求3所述的超细TiO2纳米晶阵列的制备方法,其特征在于:步骤(2)中所用的无机酸溶液为盐酸、硝酸、硫酸中的一种或多种混合溶液。

6.如权利要求3所述的超细TiO2纳米晶阵列的制备方法,其特征在于:步骤(4)中刻蚀所用碱性溶液为NaOH、KOH、LiOH中的一种或多种混合溶液。

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