[发明专利]全色型Micro-LED器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱蓝光LED外延片的N型氮化镓层上分别蒸镀红光、绿光或者黄光有机材料，依次包括电子传输层、发光层、激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层；在蒸镀其中一组材料时，利用遮挡掩膜将其他像素遮蔽。此技术结合了有机半导体材料和无机半导体材料，能够实现高效率、宽色域、功耗低、响应时间快的新型无机/有机半导体混合结构Micro‑LED器件阵列。

主权项

1.一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示器件，其结构自下而上包括：一蓝宝石衬底；一生长在蓝宝石衬底上的氮化镓缓冲层；一生长在缓冲层上的N型氮化镓层；一生长在N型氮化镓层上的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱有源层；一生长在量子阱有源层上的P型氮化镓层；所述LED阵列器件刻蚀形成贯穿P型氮化镓层、量子阱有源层，深至N型氮化镓层的阵列式正方形台面结构，各正方形台面相互隔离；还包括一P型电极，蒸镀在P型氮化镓层上，一N型电极，蒸镀在N型氮化镓层上；其特征在于：所述正方形台面阵列包括多个像素单元，多个像素单元重复排列，每个像素单元至少包括一蓝光LED、一红光LED、一绿光LED，所述红光LED和绿光LED的正方形台面均刻蚀至N型氮化镓层，红光LED为在N型氮化镓层上蒸镀有机红光发光二极管构成，绿光LED为在N型氮化镓层上蒸镀有机绿光发光二极管构成。