[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 201810862624.2 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109301048A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述缓冲层的材料采用掺有氧的氮化铝，所述缓冲层中氧的掺杂浓度沿所述氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少至0。本发明通过缓冲层的材料氮化铝中掺入氧，并且缓冲层中氧的掺杂浓度沿该氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少至0，可以实现从蓝宝石到氮化镓基材料两种不同晶格的逐渐过渡，有效缓解蓝宝石和氮化镓基材料之间的晶格失配，大幅提升外延片的晶体质量，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 外延片 氮化镓基发光二极管 氮化镓基材料 层叠方向 蓝宝石 氮化铝 衬底 源层 掺杂 半导体技术领域 发光二极管 发光效率 晶格失配 依次层叠 有效缓解 逐渐过渡 生长 掺入 晶格 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述缓冲层的材料采用掺有氧的氮化铝，所述缓冲层中氧的掺杂浓度沿所述氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少至0。
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