[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法在审

申请号：	201810862624.2	申请日：	2018-08-01
公开（公告）号：	CN109301048A	公开（公告）日：	2019-02-01
发明（设计）人：	丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏	申请（专利权）人：	华灿光电（浙江）有限公司
主分类号：	H01L33/32	分类号：	H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00
代理公司：	北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138	代理人：	徐立
地址：	322000 浙江省***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	缓冲层外延片氮化镓基发光二极管氮化镓基材料层叠方向蓝宝石氮化铝衬底源层掺杂半导体技术领域发光二极管发光效率晶格失配依次层叠有效缓解逐渐过渡生长掺入晶格
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【权利要求书】：

1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述缓冲层的材料采用掺有氧的氮化铝，所述缓冲层中氧的掺杂浓度沿所述氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少至0。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述缓冲层中氧的掺杂浓度的最大值为10¹⁹/cm³～10²²/cm³。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述缓冲层的厚度为10nm～50nm。

4.一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长缓冲层，所述缓冲层的材料采用掺有氧的氮化铝层，所述缓冲层中氧的掺杂浓度沿所述氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少至0；

在所述缓冲层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层。

5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长缓冲层，包括：

将所述衬底放入物理气相沉积系统中；

向所述物理气相沉积系统中通入氮气和氧气，并对铝靶进行溅射，在所述衬底上沉积掺有氧的氮化铝，形成缓冲层；

其中，在形成所述缓冲层的过程中，通入所述物理气相沉积系统中的氮气的流量保持不变，通入所述物理气相沉积系统中的氧气的流量逐渐减少至0。

6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，通入所述物理气相沉积系统中的氧气的流量的最大值为2sccm～5sccm。

7.根据权利要求5或6所述的生长方法，其特征在于，形成所述缓冲层时所述物理气相沉积系统内的温度为400℃～800℃。