[发明专利]完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法

摘要

本发明完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法涉及一种微芯片制造方法，利用金属层下面的复合介质膜将残余的金属带走进而完全去除，保证键合面的硅层不存留金属杂质，同时键合面的硅层质量不被破坏。在含化学稳定性金属的多层金属电极制作中，在保证静电键合面质量的同时，制作出理想的多层耐高温金属电极并对压力敏感电阻进行了保护，提高了圆片级SOI材料正面静电键合的键合质量和键合强度。采用本方法工艺制作的正面键合芯片平均键合强度与采用传统工艺制作的正面键合芯片平均键合强度相比可提高3倍以上，无引线封接产品泄漏不良品率明显减少。

主权项

1.完全去除圆片级SOI材料与玻璃静电键合面间金属层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、按照设计所需将SOI硅片上的一部分顶层硅(1)刻蚀形成敏感电阻(2)；步骤二、对顶层硅(1)和敏感电阻(2)的上表面进行热氧化和化学气相沉积处理形成复合介质膜(3)；步骤三、在复合介质膜(3)上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有多层金属电极孔图形(9)的金属电极孔掩膜板(6)，利用该金属电极孔掩膜板(6)刻蚀去除多层金属电极孔图形(9)位置所对应的复合介质膜(3)，形成多层金属电极孔(4)；金属电极孔掩膜板(6)上多层金属电极孔图形(9)的区域为透光区、其余部分为阻光区；步骤四、对不同金属进行蒸发或溅射处理，使多层金属电极孔(4)以内的顶层硅(1)上和多层金属电极孔(4)以外的复合介质膜(3)上均附着有多层金属膜；步骤五、在多层金属膜上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有多层金属电极图形(10)的金属电极掩膜板(7)，利用该金属电极掩膜板(7)刻蚀去除多层金属电极图形(10)以外的位置所对应的多层金属膜，多层金属膜剩余部分形成多层金属电极(5)；金属电极掩膜板(7)上多层金属电极图形(10)的位置与金属电极孔掩膜板(6)上多层金属电极孔图形(9)的位置对应、且多层金属电极图形(10)的区域为阻光区、其余部分为透光区；步骤六、在多层金属电极(5)和复合介质膜(3)上涂光刻胶后进行光刻，光刻胶形成带有金属电极保护图形(12)和敏感电阻区图形(11)的介质膜掩膜板(8)，利用该介质膜掩膜板(8)刻蚀去除金属电极保护图形(12)和敏感电阻区图形(11)以外的位置所对应的复合介质膜(3)；金属电极保护图形(12)与多层金属电极(5)的位置对应且完全覆盖多层金属电极(5)，敏感电阻区图形(11)的位置与敏感电阻(2)的位置对应，且该介质膜掩膜板(8)上多层金属电极图形(10)的区域和敏感电阻区图形(11)的区域均为阻光区、其余部分为透光区；步骤七、对多层金属电极(5)进行退火。